コレクタ・エミッタ電圧 (RBE =150Ω),VCER | 75V |
コレクタ - ベース電圧 VCBO | 80V |
エミッタ - ベース電圧 | 5V |
コレクタ電流、IC 連続 | 3A |
〃 ピーク | 5A |
コレクタ・パワー損失 (TA = + 25℃) PD | 1,2W |
コレクタ消費電力 (TC = + 50℃) PD | 10W |
動作接合温度 TJ | + 150℃ |
ストレージ温度範囲 Tstg | -55〜+ 150℃ |
パラメータ | 記号 | テスト条件 | Min | Typ | Max | Unit |
コレクタ - ベース降伏電圧 | V(BR)CBO | IC =100μA、IB= 0 | 80 | - | - | V |
コレクタ - エミッタ間破壊電圧 | V(BR)CER | IC = 1mA、RBE =150Ω | 75 | - | - | V |
エミッタ - ベース降伏電圧 | V(BR)EBO | IE =100μA、IC = 0 | 5 | - | - | V |
コレクタ遮断電流 | ICBO | VCB = 40V IE = 0 | - | - | 10 | μA |
エミッタ・カットオフ電流 | IEBO | VEB = 4V、IC = 0 | - | - | 10 | μA |
DC電流利得 | hFE | VCE = 5V IC = 0.5A | 25 | - | 200 | - |
コレクタ - エミッタ飽和電圧 | VCE(sat) | IC = 1A IB = 0.1A | 0,15 | 0,60 | V | |
ベース・エミッタ飽和電圧 | VBE(sat) | IC = 1A IB = 0.1A | - | 0,9 | 1,2 | V |
電流利得帯域幅積 | fT | VCE = 10V IC = 0.1A | 100 | 150 | - | MHz |
出力容量 | Cob | VCB = 10V f = 1MHz | 25 | - | - | - |
パワー出力 | PO | VCC = 12V, Pin = 0.2W, f = 27MHz | 4,0 | - | - | W |
コレクタ効率 | 60 | - | - | % |